Innovazioni tecnologiche per il nuovo impianto elettrolitico di riporto rame :

Nuovi raddrizzatori di correnti che utilizzano il sistema IGBT(insulated gate bipolar transistor) che permettono di ottenere una corrente in uscita molto stabile con una ottimale distibuzione dello spessore di rame elettrolitico depositato.

Nuova tecnologia a ricircolo con sistema venturi studiata per la realizzazione di circuiti ad alta tecnologia con doppia foratura ad asse z controllato .

Movimentazione barre immerse nei bagni tramite inverter per variare la velocita a seconda della tipologia di circuiti da trattare con il risultato della massima flessibilita senza fermi di lavorazioni.

Flessibilità per circuiti con riporto elettrolitico da 70µ a 200µ senza pausa nella produzione.